DRAM-less PCIe(NVMe)控制芯片

DRAM-less PCIe(NVMe)控制芯片

联芸科技基于 NVMe1.3/1.4/2.0 技术开发的DRAM-less SSD控制芯片主要包括:MAP1202-I、MAP1602-I。针对主流PC客户端SSD研发的系列SSD控制芯片。Gen3x4 PCIe控制芯片集成联芸科技新一代Agile ECC技术,提供先进的纠错及自适配功能以满足NAND闪存技术的发展需求。该系列SSD控制芯片可与全球推出的全部3D NAND(MLC/TLC/QLC)进行适配。
此外,MAP1202-I、MAP1602-I采用高性能CPU融合高速协处理SOC芯片设计技术以及软硬件协同设计技术,嵌入独特SRAM融合Smart Cache架构创新设计,构建智能虚拟化缓存池,实现缓存资源集约化智能管理,从而大幅提高读写速度,降低功耗,为市场提供更具竞争力SSD主控芯片及解决方案。

主要特征

型号 MAP1202-I MAP1602-I
接口 PCIe Gen3x4 NVMe1.4 PCIe Gen4x4 NVMe2.0
支持板型 M.2 M.2
ecc纠错 MAXIO Agile ECC 3 Technology MAXIO Agile ECC 3 Technology
nand接口 ONFi4.2/Toggle 4.0 NV-DDR3 up to 1600MT/s ONFi5.0/Toggle 5.0 NV-DDR3 up to 2400MT/s
封装尺寸 7.1mm*11mm 7.1mm*11mm
通道 4CHx4CE 4CHx4CE
dram接口 N/A N/A
最大容量 4TB 4TB
nand支持 2D MLC/TLC 3D MLC/TLC/QLC 2D MLC/TLC 3D MLC/TLC/QLC
最高顺序读取 3600MB/s 7200MB/s
最高顺序写入 3200MB/s 6500MB/s
最高4k随机读取 600K IOPS 1000K IOPS
最高4k随机写入 500K IOPS 1000K IOPS