最新动态
关于报道称有仿冒三星固态硬盘使用联芸主控芯片的声明
2023-03-21
近日有媒体报道称市场上出现了仿冒的三星980 pro 固态硬盘，部分报道指明该仿冒的三星固态硬盘使用的是联芸主控芯片。对此，联芸公司（以下简称“公司”）非常重视，我们也在进一步核实报道相关内容的真实性。为此，公司特此郑重声明如...
联芸科技MAP1202解决方案覆盖七大原厂NAND颗粒
2022-10-27
在MAP1202+X2-9060 解决方案成为PCIe G3固态硬盘扛鼎之作之际，联芸科技凭借其强大的固件开发能力，强悍推出MAP1202主控芯片搭载全球七大NAND原厂系列SSD解决方案，为市场及客户提供更多选择。目前MAP1202搭载KIOXIA\Micron\ Samsun...
联芸科技MAP1602为PCIe4.0定标
2021-12-30
在市场热议PCIe 4.0即将成为消费级PC整机应用的SSD主流产品之际，联芸科技再次以一种特有的方式诠释SSD主控芯片发展路径。2021年12月，联芸科技正式向全球发布4通道无外置缓存PC整机专用SSD主控芯片（型号：MAP1602），并成功实现量产。MAP1602主控芯片的推出，将推动支持小于2400MT/s NAND的低速PCIe4.0 SSD主控芯片逐步退出历史舞台，回归PCIe4.0真实强悍性能（顺序读性能≮7000MB/s）。联芸科技再次用技术创新，通过MAP1602主控芯片定格PCIe4.0 SSD主控芯片未来。
联芸科技MAP1202为PCIe 3.0定格
2021-12-13
2020年底，联芸科技推出第二代PCIe3.0 终极版SSD主控芯片（型号：MAP1202 ），该主控芯片采用业界同类产品最领先的22nm工艺技术设计，突破性能及功耗极限，推出业界无需散热马甲的PCIe3.0 SSD解决方案，以其三高一低“高性能、高稳定、高安全、低功耗&rd...
迎接高密度NAND闪存 联芸实现4K LDPC纠错技术突破
2020-04-13
追求存储密度以降低存储成本不断推动着NAND闪存技术的发展。NAND闪存技术已经从最初的SLC时代，跨越MLC、TLC向QLC时代快速演进，并且从最初的2D平面技术全面切换到3D堆叠技术。而3D NAND闪存技术也从最初的32层堆叠，发展到了目前最...
联芸科技MAP1202解决方案覆盖七大原厂NAND颗粒
2022-10-27
在MAP1202+X2-9060 解决方案成为PCIe G3固态硬盘扛鼎之作之际，联芸科技凭借其强大的固件开发能力，强悍推出MAP1202主控芯片搭载全球七大NAND原厂系列SSD解决方案，为市场及客户提供更多选择。目前MAP1202搭载KIOXIA\Micron\ Samsun...
联芸科技MAP1602为PCIe4.0定标
2021-12-30
在市场热议PCIe 4.0即将成为消费级PC整机应用的SSD主流产品之际，联芸科技再次以一种特有的方式诠释SSD主控芯片发展路径。2021年12月，联芸科技正式向全球发布4通道无外置缓存PC整机专用SSD主控芯片（型号：MAP1602），并成功实现量产。MAP1602主控芯片的推出，将推动支持小于2400MT/s NAND的低速PCIe4.0 SSD主控芯片逐步退出历史舞台，回归PCIe4.0真实强悍性能（顺序读性能≮7000MB/s）。联芸科技再次用技术创新，通过MAP1602主控芯片定格PCIe4.0 SSD主控芯片未来。
联芸科技MAP1202为PCIe 3.0定格
2021-12-13
2020年底，联芸科技推出第二代PCIe3.0 终极版SSD主控芯片（型号：MAP1202 ），该主控芯片采用业界同类产品最领先的22nm工艺技术设计，突破性能及功耗极限，推出业界无需散热马甲的PCIe3.0 SSD解决方案，以其三高一低“高性能、高稳定、高安全、低功耗&rd...
迎接高密度NAND闪存 联芸实现4K LDPC纠错技术突破
2020-04-13
追求存储密度以降低存储成本不断推动着NAND闪存技术的发展。NAND闪存技术已经从最初的SLC时代，跨越MLC、TLC向QLC时代快速演进，并且从最初的2D平面技术全面切换到3D堆叠技术。而3D NAND闪存技术也从最初的32层堆叠，发展到了目前最...