DRAM PCIe(NVMe)控制芯片

DRAM PCIe(NVMe)控制芯片

联芸科技基于NVMe1.3 技术开发的系列DRAM SSD控制芯片主要包括:MAP1001-C 、MAP1003-C。针对主流高性能PC客户端和边缘计算SSD研发的系列SSD控制芯片。Gen3x4 PCIe控制芯片集成联芸科技新一代Agile ECC技术,提供先进的纠错及自适配功能以满足NAND闪存技术的发展需求。该系列SSD控制芯片可与全球推出的全部3D NAND(MLC/TLC/QLC)进行适配。
此外,MAP1001-C、MAP1003-C采用高性能CPU融合高速协处理SOC芯片设计技术以及软硬件协同设计技术,极尽技术创新,提供模块化固件设计架构,为市场提供更具竞争力SSD主控芯片及解决方案。

主要特征

型号 MAP1001-C MAP1003-C
接口 PCIe Gen3x4 NVMe1.3 PCIe Gen3x4 NVMe1.3
支持板型 M.2 M.2
ecc纠错 MAXIO Agile ECC 2 Technology MAXIO Agile ECC 2 Technology
nand接口 ONFi4.0/Toggle 3.0 NV-DDR3 up to 800MT/s ONFi4.0/Toggle 3.0 NV-DDR3 up to 800MT/s
封装尺寸 15mm*15mm 11mm*11mm
通道 8CHx4CE 4CHx4CE
dram接口 DDR3/LPDDR3/DDR4 DDR3/LPDDR3/DDR4
最大容量 8TB 2TB
nand支持 2D MLC/TLC 3D MLC/TLC/QLC 2D MLC/TLC 3D MLC/TLC/QLC
最高顺序读取 3500MB/s 2400MB/s
最高顺序写入 3000MB/s 2000MB/s
最高4k随机读取 800K IOPS 400K IOPS
最高4k随机写入 600K IOPS 400K IOPS
加密支持 SM2/SM3/SM4/AES256/SHA256/RSA2048 SM2/SM3/SM4/AES256/SHA256/RSA2048